柯雷G81手持式通用高斯计简述:
G81 高斯计是一款采用了 COLIY 公司的第三代半导体氮化镓(GaN)霍尔传感器的高性能手持式单维高斯计。氮化镓传感器具有温度稳定性好、不受光照影响、线性度高、噪声低的特点，性能领先于第二代半导体砷化镓(GaAs)传感器技术。 高斯计开机和测量中需要经常校零，操作繁琐，影响精度。G81 高斯计采用了Bypass Zero Technology 专利技术和高稳定度 GaN 霍尔传感器，无需校零，大大提高了数据的准确度和使用便利性。G81 还拥有手持式高斯计中无可比拟的极低测量噪声，60 秒内的峰峰值（PEAK TO PEAK)噪声小于 0.05G，可以很容易测量金属材料的剩磁，甚至可以测量地球磁场（约 0.4G)。高斯计 G81 的 DC 精度优于 0.8%，量程高达 100kG (10T)，频率响应范围DC-10kHz。高斯计 G81 采用傅里叶分析法测量交流磁场(RMS 值和频谱分析)，非常适合用于测量交流各类波形(正弦波、方波、三角波、梯形波、锯齿波等)的磁场。高斯计 G81 采用 3.2 英寸彩色工业电阻触摸屏和符合智能手机习惯的菜单和显示，操作简便，用户无需看说明书，就会使用；高斯计 G81 功能强大，具有最大值/最小值功能、磁场极性显示功能、存储功能、实时频谱分析功能和 0.2ms 脉冲磁场捕捉功能。高斯计 G81 通过 CE 认证。
用户可以选择多种探头：径向探头、轴向探头、小直径轴向探头(直径 2mm)、超薄探头(0.5mm)和带温度补偿的探头。常规探头温度系数±300ppm/℃，而带温度补偿探头温度系数仅为±50ppm/℃，在温度变化时可以大大提高测量精度和稳定性，因此强烈建议购买带温度补偿的探头。
特性
- 免校零技术
- 图形界面操作系统
- 第三代半导体 GaN 霍尔传感器
- 3.2 英寸 LCD 彩色触摸屏
- RMS 交流各类波形磁场测量
- 最大值/最小值功能
- S 或 N 磁极显示
- 实时频谱功能
- 量程高达 100kG (10T)
- 峰峰值噪声<0.05G
- DC 精度 0.8%
- 频率响应 DC- 10kHz
- 温度系数±50ppm/℃
- 小直径轴向探头(直径 2mm)
- 超薄探头 0.5mm 厚度
- 0.2ms 脉冲磁场测量模式
实时频谱分析功能
针对交流磁场，G81 高斯计具有实时频谱分析功能，频谱分析范围<10kHz。采用傅里叶分析 20Hz-10kHz的交流磁场, 屏幕显示 2 个最大的磁场峰值和频率值。
0.2ms 脉冲磁场捕捉模式
G81P 高斯计的数字采样频率高达 100k/秒，因此能够捕捉时间宽度≥0.2ms 的正负脉冲磁场，最大脉冲磁场值高达 10T。这是测量磁化器和其他快速脉冲磁场应用的理想选择。
G81高斯计参数： |
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型号 | G81 / G81P | 测量参数 | 精度(DC) | < ±0.8% (EACH PROBE CALIBRATED TO 2.5T) | 量程 | 100kG (10T) | 主机频率响应范围 | DC - 10kHz | DC磁场噪声 | 0.05G (5uT) （60秒 PEAK-PEAK值） | AC测量模式 | 交流频率响应范围0.5Hz-10kHz RMS均方根值，适合波形：正弦波、方波、三角波、梯形波、锯齿波等等 | 频谱分析功能 | 傅里叶分析20Hz-10kHz, 屏幕显示2个最大的磁场峰值和频率值。 | 显示位数 | 4位 | 零点漂移 | 采用 Bypass Zero Technology专利技术，无零点漂移，温度和磁滞对零点无影响。 | 探头温度系数 | ±300ppm/℃ (常规探头) <±50ppm/℃ (带温度补偿探头) | 脉冲磁场捕捉功能 | G81P高斯计增加脉冲磁场捕捉功能，可捕捉≥0.2ms时间的脉冲磁场。 | 显示 | 显示屏幕 | 3.2英寸彩色电阻触摸屏，320x240 像素 | 磁场单位 | 高斯 (G)、特斯拉 (T) | 显示更新速率 | 4次/秒 | 显示模式 | DC、AC、最大值、最小值、警报、N/S磁极显示、频谱分析、0.2ms脉冲磁场捕捉等 | 探头 | 传感器 | COLIY第三代半导体氮化镓(GaN)霍尔传感器 | 可搭配的探头 | 详见“探头规格”列表 | 接插件 | 6芯防水接插件 | 探头握把和保护套 | 无磁航空铝合金，抗10米跌落 | 电缆线 | 6芯屏蔽双绞线柔性电缆，符合CAT5e标准 | 电缆长度 | 标准1.5米；可订制最长30米 | USB接口 | 功能 | 1、通讯：用于连接电脑，显示测量数据等； 2、供电：用于连接5VDC充电器或者移动电源(充电宝)。 | 软件/驱动 | 带上位机软件 / 支持 LabVIEW™ | 模拟输出 | 线性度(DC) | ±0.8% | 功能 | 实时输出，输出电压与磁场强度成比例关系 | 满量程电压 | ±5 V | 比例关系 | 标准1T/V （可定制，比如2T/V , 0.1T/V ...) | 频率响应范围 | 见探头频率响应参数 | 模拟输出阻抗 | < 100 Ω (短路保护) | 连接 | 专用模拟输出BNC转换电缆 | 主机规格 | 工作温度 | -20℃ to +60℃ | 预热 | 开机即用。预热30分钟后达到最佳性能 | 主机温度系数 | <±20ppm/℃，在工作温度范围内对精度影响忽略不计 | 储存温度 | - 20℃ to +80℃ | 环境磁场 | <1kG(0.1T) | 电池 | 可充电5200mAH 锂离子电池 | 电池工作时间 | >16小时(标准试验环境中测试，低温环境下工作时间会减少) | 电源 | 5VDC，可连接充电宝供电 | 尺寸 | 238 mm W × 95 mm H × 42 mm D | 重量 | 350g | 认证 | CE 认证、EMC认证 |
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探头选购：G81 / G81P高斯计探头 | 探头类型 | 量程 | 频率响应范围 | 探杆尺寸 (mm) | 工作温度 | DC精度 | 探杆材料 | 标准径向探头 T08M150G81 T08M150G81T | 100kG (10T) | DC-10kHz | 80*2.2*1 | -20℃ - +75℃ | ±0.8% | 金属 | 塑料径向探头 T08P150G81 T08P150G81T | 100kG (10T) | DC-10kHz | 80*2.5*1.3 | -20℃ - +75℃ | ±0.8% | 塑料 | 标准轴向探头 A08M150G81 A08M150G81T | 100kG (10T) | DC-4kHz | 80*Φ6 | -20℃ - +75℃ | ±0.8% | 金属 | 小直径轴向探头 A08S150G81 A08S150G81T | 100kG (10T) | DC-2kHz | 80*Φ2 | -20℃ - +75℃ | ±0.8% | 金属 | 0.5mm 超薄探头 T08U150G81 T08U150G81T | 100kG (10T) | DC-2kHz | 60*2.5*0.5 | -20℃ - +75℃ | ±0.8% | 高分子材料 |
| 注：
1、最具性价比套餐(高精度，低温漂)：G81+ PROBE T08M150G81T；
2、型号最后含有字母“T” ：内置温度传感器的探头，具有温度补偿功能，其典型温度系数<±50ppm/℃；
3、每根探头校验到2.5T；2.5T-10T的精度由霍尔传感器线性度决定，希望能达到精度参数，但不能保证。
4、特殊要求的探头可定制。
5、径向探头传感器位置： |
最常用的套件 | 套件产品编号 G8101：高斯计主机G81+ 探头T08M150G81 | 套件产品编号 G8101T：高斯计主机G81+ 探头T08M150G81 T |
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